AI驱动新周期：全球半导体存储与终端应用产业迎变局

11月27日，TrendForce集邦咨询及旗下“全球半导体观察”在深圳举办“MTS2026存储产业趋势研讨会”及“2026十大科技市场趋势预测发布暨TechFuture Awards颁奖典礼”。会议汇聚全球半导体存储与终端应用产业链逾千名嘉宾，线上观众超万人，重点围绕AI驱动下的供需重构与技术走向展开讨论。

集邦咨询顾问（深圳）有限公司董事长董昀昶在开场致辞中指出，虽然AI使存储市场价格波动剧烈，但AI并非泡沫，需求真实存在，且已改变高科技制造供应链供给顺序。

在上游制造环节，晶圆代工率先感受到“新周期”的压力。集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣介绍，TrendForce预估2026年晶圆代工产业营收将年增19%，其中与AI相关的先进工艺市场年增28%，远高于整体。台积电今年下半年已导入2nm工艺生产，后续规划A16、A10并持续向1nm推进；先进封装方面，2025年产能年增率预计达到27%，CoWoS持续扩张，CoPoS、CoWoP处于蓄势阶段。

在芯片需求结构上，英伟达依旧是AI领域主力厂商，但2026年被视为ASIC芯片起飞的关键节点。美国四大云端业者相继推出自研AI芯片，国内市场则由华为与寒武纪持续推陈出新，并与本土大语言模型结合。最先进工艺不再只服务于少数通用GPU，而是在GPU与大规模定制ASIC之间重新分配，代工厂与云服务商之间的博弈焦点随之转向“谁能拿到更多高端产能”。

内存市场则最直接体现出“新周期”的紧绷程度。集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷指出，AI服务器与通用服务器正共同驱动新一轮存储器超级周期。TrendForce预估，到2026年，与AI及服务器相关应用将占DRAM总产能的66%，云端服务供货商积极签订长约锁定服务器DRAM供给。三大DRAM厂商提高资本支出并规划新厂，但新增产能优先供应HBM，带来明显的产能排挤效应：AI服务器（如NVIDIA GB300）对LPDDR5X需求激增，开始严重压缩智能手机LPDRAM供给，服务器模组同样被HBM挤压，价格自2025年第四季度起明显上扬。

TrendForce分析认为，DRAM将面临比NAND更严峻的缺货，市场上将出现围绕有限产能的竞价；在ASP持续上涨带动下，2026年DRAM平均售价预计年增36%，营收预计飙升56%，但受无尘室空间与设备交付周期限制，位元产出增幅有限，“量不及价”的特征将进一步放大。

在闪存与终端存储方面，集邦咨询研究经理罗智文指出，AI大模型参数规模暴增，带来新的存储瓶颈。HBM速度极快，但容量有限、成本高昂，在HBM（极快、极贵）与传统SSD（慢、便宜）之间形成效能断层；同时，HDD市场因供应链限制交期长达52周，2026年预计将出现150EB缺口，需求被迫转向高密度QLC eSSD，导致整体供不应求。在此背景下，NAND Flash开始从“被动存储”转向“辅助运算核心”：一方面，高带宽闪存HBF被定位为HBM的低成本补充，为GPU提供TB级“温区仓库”，缓解模型容量瓶颈；另一方面，AI SSD在控制器内整合NPU，在本地执行如RAG Top-K等近数据处理，扮演GPU的“智能前哨”，缓解数据管线压力，让GPU专注核心计算。TrendForce判断，在供应偏紧格局与新产品形态共同作用下，2026年NAND产业有望迎来景气与价值重估。